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特許情報


発明の名称
液晶性ブロック共重合体薄膜の製造方法、及びパターン形成方法 
発明者
彌田智一, 小村元憲, 佐藤浩行, 増田　一之　, 村田　和広　.  
種別
特許 
状態
登録 
出願人
国立大学法人東京工業大学, 株式会社ＳＩＪテクノロジ.  
出願日
2013/12/09
出願番号
特願2013-254279
公開日
2015/06/22
公開番号
特開2015-113356
登録日
2018/03/30
登録番号
特許第6311962号

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