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特許情報


発明の名称
半導体デバイス電極の製造方法 
発明者
大見俊一郎, 政広　泰.  
種別
特許 
状態
登録 
出願人
国立大学法人東京工業大学, 田中貴金属工業株式会社.  
出願日
2015/06/26
出願番号
特願2015-128775
公開日
2017/01/19
公開番号
特開2017-017050
登録日
2017/02/10
登録番号
特許第6086550号

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