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特許情報


発明の名称
半導体デバイス電極用のシリサイド合金膜及びシリサイド合金膜の製造方法 
発明者
大見俊一郎, 政広　泰　.  
種別
特許 
状態
登録 
出願人
国立大学法人東京工業大学, 田中貴金属工業株式会社.  
出願日
2016/06/24
出願番号
特願2017-524988
公開日
2018/04/12
公開番号
再表2016/208704
登録日
2018/12/28
登録番号
特許第6455847号
備考
権利存続

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