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特許情報


発明の名称
シリコン基板とペロブスカイト型構造を有する化合物の薄膜との積層体、及び該積層体を有する磁気メモリ素子 
発明者
岡本敏, 東正樹, 重松圭, 社外発明者, 社外発明者, 社外発明者.  
種別
特許 
状態
公開 
出願人
国立大学法人東京科学大学, 地方独立行政法人神奈川県立産業技術総合研究所(KISTEC), 住友化学株式会社.  
出願日
2025/06/20
出願番号
PCT/JP2025/022338
公開日
2026/01/02
公開番号
WO 2026/004768

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