La<sub>2</sub>O<sub>3</sub>をゲート絶縁膜に用いたMISFETの低周波ノイズのアニール雰囲気依存性 | T2R2 東京科学大学リサーチリポジトリ

論文・著書情報

タイトル

和文:	La₂O₃をゲート絶縁膜に用いたMISFETの低周波ノイズのアニール雰囲気依存性
英文:

著者

和文:	吉田丈治, ヘンドリアッシャサウッディン, 大見俊一郎, 筒井一生, 岩井洋.
英文:	吉田丈治, ヘンドリアッシャサウッディン, 大見俊一郎, 筒井一生, 岩井洋.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:	第51回応用物理学関係連合講演会
英文:

巻, 号, ページ

Vol. 2 pp. 869

出版年月

2004年

出版者

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会議名称

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開催地

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英文:

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