35nm metal gate p-type metal oxide semiconductor field-effect transistor with PtSi Schottky source/drain on separation by implanted oxygen substrate

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	35nm metal gate p-type metal oxide semiconductor field-effect transistor with PtSi Schottky source/drain on separation by implanted oxygen substrate

著者

和文:	W.Saitoh, S.Yamagami, A.Itoh, M.Asada.
英文:	W.Saitoh, S.Yamagami, A.Itoh, M.Asada.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Japan.J.Appl.Phys.

巻, 号, ページ

Vol. 38 No. 6A pp. L629-L631

出版年月

1999年

出版者

和文:
英文:

会議名称

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開催地

和文:
英文: