0.1μｍ幅エミッタを有するInP/GaInAs系DHBTの作製 | T2R2 東京工業大学リサーチリポジトリ

論文・著書情報

タイトル

和文:	0.1μｍ幅エミッタを有するInP/GaInAs系DHBTの作製
英文:

著者

和文:	森田竜夫, 新井俊希, 長塚弘美, 宮本恭幸, 古屋一仁.
英文:	森田竜夫, 新井俊希, 長塚弘美, 宮本恭幸, 古屋一仁.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:	第62回応用物理学会学術講演会
英文:

巻, 号, ページ

Vol. 13p-ZF-9

出版年月

2001年

出版者

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会議名称

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開催地

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英文:

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