シミュレーションによる極微細高誘電率ゲートFETの電気特性解析 | T2R2 東京科学大学リサーチリポジトリ

論文・著書情報

タイトル

和文:	シミュレーションによる極微細高誘電率ゲートFETの電気特性解析
英文:

著者

和文:	藤村亮介, 武田光弘, 大見俊一郎, 石原宏, 岩井洋.
英文:	藤村亮介, 武田光弘, 大見俊一郎, 石原宏, 岩井洋.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:	第４８回応用物理学関係連合講演会
英文:

巻, 号, ページ

Vol. 2

出版年月

2001年

出版者

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会議名称

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開催地

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英文:

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