Charge pumping法による強誘電体／Si構造の界面準位密度評価 | T2R2 東京科学大学リサーチリポジトリ

論文・著書情報

タイトル

和文:	Charge pumping法による強誘電体／Si構造の界面準位密度評価
英文:

著者

和文:	會澤康治, 川島良仁, 石原宏.
英文:	會澤康治, 川島良仁, 石原宏.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:	2002年春季　第49回応用物理学関係連合講演会
英文:

巻, 号, ページ

Vol. 2分冊 No. 30a-ZA-8 pp. 540

出版年月

2002年

出版者

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会議名称

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開催地

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英文:

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