Characteristics of High-k Gd<sub>2</sub>O<sub>3</sub> films deposited on different orientation of Si substrate

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Characteristics of High-k Gd₂O₃ films deposited on different orientation of Si substrate

著者

和文:	I. Kashiwagi, C. Ohshima, S.-I. Ohmi, H. Iwai.
英文:	I. Kashiwagi, C. Ohshima, S.-I. Ohmi, H. Iwai.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	202nd meeting of The Electrochemical Society

巻, 号, ページ

出版年月

2002年

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:

開催地

和文:
英文: