Effect of Surface Treatment of Si substrates and Annealing Condition on High-k Rare Earth Oxide Gate Dielectrics

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Effect of Surface Treatment of Si substrates and Annealing Condition on High-k Rare Earth Oxide Gate Dielectrics

著者

和文:	C. Ohshima, J. Taguchi, I. Kashiwagi, H. Yamamoto, S. Ohmi, H. Iwai.
英文:	C. Ohshima, J. Taguchi, I. Kashiwagi, H. Yamamoto, S. Ohmi, H. Iwai.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Fourth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces

巻, 号, ページ

pp. P2-12

出版年月

2002年

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

和文:
英文: