Device Characterization of High-Electron Mobility Transistors with Ferroelectric-Gate Structures

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Device Characterization of High-Electron Mobility Transistors with Ferroelectric-Gate Structures

著者

和文:	S. Ohmi, T. Okamoto, M. Tagami, E. Tokumitsu, H. Ishiwara.
英文:	S. Ohmi, T. Okamoto, M. Tagami, E. Tokumitsu, H. Ishiwara.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	IEEE GaAs IC Symposium Tech. Dig.

巻, 号, ページ

pp. 163-166

出版年月

1996年

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
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開催地

和文:
英文: