新構造MOS/SOIの電気特性 -2Dシミュレーション- | T2R2 東京科学大学リサーチリポジトリ

論文・著書情報

タイトル

和文:	新構造MOS/SOIの電気特性 -2Dシミュレーション-
英文:

著者

和文:	盛田伸也, 大理洋征龍, 山崎崇, 大見俊一郎, 酒井徹志.
英文:	盛田伸也, 大理洋征龍, 山崎崇, 大見俊一郎, 酒井徹志.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:	第64回応用物理学会学術講演会　講演予稿集
英文:

巻, 号, ページ

Vol. 2 pp. 795

出版年月

2003年

出版者

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会議名称

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開催地

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英文:

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