(Bi,La)<sub>4</sub>Ti<sub>3</sub>O<sub>12</sub>/HfO<sub>2</sub>構造を用いたMFISダイオード及び1T型FETの電気的特性評価 | T2R2 東京科学大学リサーチリポジトリ

論文・著書情報

タイトル

和文:	(Bi,La)₄Ti₃O₁₂/HfO₂構造を用いたMFISダイオード及び1T型FETの電気的特性評価
英文:

著者

和文:	高橋憲弘, 朴炳垠, 川島良仁, 田渕良志明, 會澤康治, 石原宏.
英文:	高橋憲弘, 朴炳垠, 川島良仁, 田渕良志明, 會澤康治, 石原宏.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:	第51回応用物理学関係連合講演会講演予稿集
英文:

巻, 号, ページ

Vol. 第二分冊 No. 30p-ZL-18 pp. 619

出版年月

2004年

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:

開催地

和文:
英文:

©2007 Institute of Science Tokyo All rights reserved.