(Bi,Nd)4Ti3O12/HfO2/Si(100)構造MFIS型強誘電体メモリの作製とデーター保持特性の評価

論文・著書情報

タイトル

和文:	(Bi,Nd)₄Ti₃O₁₂/HfO₂/Si(100)構造MFIS型強誘電体メモリの作製とデーター保持特性の評価
英文:

著者

和文:	田渕良志明, 朴炳垠, 會澤康治, 川島良仁, 高橋憲弘, 加藤一実, 有本由弘, 石原宏.
英文:	田渕良志明, 朴炳垠, 會澤康治, 川島良仁, 高橋憲弘, 加藤一実, 有本由弘, 石原宏.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:	第51回応用物理学関係連合講演会講演予稿集
英文:

巻, 号, ページ

Vol. 第二分冊 No. 31p-ZL-1 pp. 621

出版年月

2004年

出版者

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会議名称

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開催地

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