Effect of ferroelectric/HfO<sub>2</sub>/Si structures on electrical properties of ferroelectric-gate FETs

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Effect of ferroelectric/HfO₂/Si structures on electrical properties of ferroelectric-gate FETs

著者

和文:	Koji Aizawa, Byung-Eun Park, Yoshihito Kawashima, Kazuhiro Takahashi, Hiroshi Ishiwara.
英文:	Koji Aizawa, Byung-Eun Park, Yoshihito Kawashima, Kazuhiro Takahashi, Hiroshi Ishiwara.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Abstracts of 2004 Mat. Res. Soc. Fall Meeting (Sympo. D ; Materials and Processes for Nonvolatile Memories), Boston

巻, 号, ページ

No. D2.9 pp. 84

出版年月

2004年

出版者

和文:
英文:

会議名称

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開催地

和文:
英文: