Increase in current density at 25-nm-wide emitter for InP hot-electron transistors without base layer

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Increase in current density at 25-nm-wide emitter for InP hot-electron transistors without base layer

著者

和文:	Y. Miyamoto, I. Kashima, A. Suwa, K. Furuya.
英文:	Y. Miyamoto, I. Kashima, A. Suwa, K. Furuya.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	64th Annual Device Research Conference

巻, 号, ページ

pp. V.A-7

出版年月

2006年6月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	64th Annual Device Research Conference

開催地

和文:
英文:	University Park, PA、USA