Characterization of n-MISFETs with Ultrathin HfOxNy Gate Insulator Formed by ECR-Ar/N2 Plasma Nitridation

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Characterization of n-MISFETs with Ultrathin HfO_xN_y Gate Insulator Formed by ECR-Ar/N₂ Plasma Nitridation

著者

和文:	Masaki Satoh, Shun-ichiro Ohmi, Tetsushi Sakai.
英文:	Masaki Satoh, Shun-ichiro Ohmi, Tetsushi Sakai.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

pp. 67

出版年月

2006年6月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	2006 Electronic Materials Conference

開催地

和文:
英文:	Penn State Univ.