25 nm pitch GaInAs/InP buried structure : Improvement by calixarene as EB resist and TBP as P-source in OMVPE regrowth

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	25 nm pitch GaInAs/InP buried structure : Improvement by calixarene as EB resist and TBP as P-source in OMVPE regrowth

著者

和文:	Y.Miyamoto, A.Kokubo, T.Hattori, H.Hongo, M.Suhara, K.Furuya.
英文:	Y.Miyamoto, A.Kokubo, T.Hattori, H.Hongo, M.Suhara, K.Furuya.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	J. Vac. Sci. Technol. B

巻, 号, ページ

Vol. 16 No. 6 pp. 3894-3898

出版年月

1998年

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

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DOI