Fabrication and characterization of strained SiC n-MOSFET grown by Hot Wire Cell method

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Fabrication and characterization of strained SiC n-MOSFET grown by Hot Wire Cell method

著者

和文:	H.Ishihara, T.Watahiki, A.Yamada, M.Konagai.
英文:	H.Ishihara, T.Watahiki, A.Yamada, M.Konagai.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Thin Solid Films

巻, 号, ページ

Vol. 508 No. 1-2 pp. 329-332

出版年月

2006年

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

和文:
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DOI