Ultrathin HfOxNy Gate Insulator Formation by Electron Cyclotron resonance Ar/N2 Plasma nitridation of HfO2 Thin Films

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Ultrathin HfOxNy Gate Insulator Formation by Electron Cyclotron resonance Ar/N2 Plasma nitridation of HfO2 Thin Films

著者

和文:	S. Ohmi, T. Kurose, M. Sato.
英文:	S. Ohmi, T. Kurose, M. Sato.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	IEICE Trans. Electron.

巻, 号, ページ

Vol. E89-C No. 1 pp. 596-601

出版年月

2006年5月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:

開催地

和文:
英文: