Improvement of Pentacene Based MOS Diodes Characteristics by Surface Treatment of SiO2

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Improvement of Pentacene Based MOS Diodes Characteristics by Surface Treatment of SiO2

著者

和文:	Uzzaman Md. Akhtar, 大見俊一郎, J. Nishida, Y. Yamashita, H. Ishiwara.
英文:	Uzzaman Md. Akhtar, S. Ohmi, J. Nishida, Y. Yamashita, H. Ishiwara.

言語

English

掲載誌/書名

和文:	第55回応用物理学関係連合講演会講演予稿集
英文:

巻, 号, ページ

No. 3 p. 1286

出版年月

2008年4月

出版者

和文:	応用物理学会
英文:

会議名称

和文:	第55回応用物理学関係連合講演会講演予稿集
英文:

開催地

和文:	日大船橋
英文: