RF and Logic Performance Improvement of In0.7Ga0.3As/InAs/In0.7Ga0.3As composite channel HEMTs Using Gate-Sinking Technology

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	RF and Logic Performance Improvement of In0.7Ga0.3As/InAs/In0.7Ga0.3As composite channel HEMTs Using Gate-Sinking Technology

著者

和文:	Chien-I Kuo, Heng-Tung Hsu, Edward Yi Chang, Chia-Yuan Chang, 宮本恭幸, Suman Datta, Marko Radosavljevic, Guo-Wei Huang, Ching Ting Lee.
英文:	Chien-I Kuo, Heng-Tung Hsu, Edward Yi Chang, Chia-Yuan Chang, Yasuyuki Miyamoto, Suman Datta, Marko Radosavljevic, Guo-Wei Huang, Ching Ting Lee.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	IEEE Electron Device Lett.

巻, 号, ページ

vol. 29 no. 4 pp. 290-293

出版年月

2008年4月

出版者

和文:
英文:	IEEE

会議名称

和文:
英文:

開催地

和文:
英文:

DOI