Comparison of Wafer Bonding Methods of Membrane GaInAsP WiredWaveguides on Si Substrate

Haruki Enomoto; Hai Duc Nguyen; Keita Inoue; Shinichi Sakamoto; Tadashi Okumura; Nobuhiko Nishiyama; Shimon Kondo; Shigehisa Arai

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Comparison of Wafer Bonding Methods of Membrane GaInAsP WiredWaveguides on Si Substrate

著者

和文:	榎本晴基, グェンドゥックハイ, 井上敬太, 阪本真一, 奥村忠嗣, 西山伸彦, 近藤志文, 荒井滋久.
英文:	Haruki Enomoto, Hai Duc Nguyen, Keita Inoue, Shinichi Sakamoto, Tadashi Okumura, Nobuhiko Nishiyama, Shimon Kondo, Shigehisa Arai.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	2008 International Nano-Optoelectronics Workshop

巻, 号, ページ

session3-P27

出版年月

2008年8月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	2008 International Nano-Optoelectronics Workshop

開催地

和文:
英文:	Tokyo, Lake Saiko, Shonan Village, Japan

アブストラクト

SiO2/SiO2 direct wafer bonding and BCB bonding have been compared to realize membrane GaInAsP wired waveguides on Si Substrate. Bonding environment and pressure were essential for BCB bonding and SiO2 direct bonding, respectively.

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