Sub-1.0nm EOTにおけるW／La2O3ゲートスタックｎMOSFETの電子移動度解析

論文・著書情報

タイトル

和文:	Sub-1.0nm EOTにおけるW／La2O3ゲートスタックｎMOSFETの電子移動度解析
英文:

著者

和文:	舘喜一, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 筒井一生, 杉井信之, 服部健雄, 岩井洋.
英文:	Kiichi Tachi, Kuniyuki KAKUSHIMA, Parhat Ahmet, KAZUO TSUTSUI, Nobuyuki Sugii, takeo hattori, HIROSHI IWAI.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:	春季第55回応用物理学会学術講演会予稿集
英文:

巻, 号, ページ

No. 2 pp. 849

出版年月

2008年3月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:	春季第55回応用物理学会学術講演会
英文:

開催地

和文:	日本大学
英文: