Layout-aware compact model of MOSFET characteristics variations induced by STI stress

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Layout-aware compact model of MOSFET characteristics variations induced by STI stress

著者

和文:	Kenta Yamada, 佐藤高史, 中山範明, 天川修平, 益一哉.
英文:	Kenta Yamada, Takashi Sato, Noriaki Nakayama, Shuhei Amakawa, Kazuya Masu.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	IEICE Transactions on Electronics

巻, 号, ページ

Vol. E91-C No. 7 pp. 1142-1150

出版年月

2008年7月

出版者

和文:
英文:

会議名称

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開催地

和文:
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DOI