STIストレスによるMOSFET特性変動のコンパクトモデル

論文・著書情報

タイトル

和文:	STIストレスによるMOSFET特性変動のコンパクトモデル
英文:

著者

和文:	山田健太, 庄俊之, 國清辰也, 庄俊之, 益一哉, 中山範明, 佐藤高史, 天川修平, 吉村尚郎, 伊藤優, 熊代成孝.
英文:	山田健太, 庄俊之, 國清辰也, 庄俊之, Kazuya Masu, Noriaki Nakayama, Takashi Sato, Shuhei Amakawa, 吉村尚郎, 伊藤優, 熊代成孝.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:	2009年（平成21年）第56回応用物理学関係連合講演会
英文:

巻, 号, ページ

31p-G-3

出版年月

2009年3月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:	2009年（平成21年）第56回応用物理学関係連合講演会
英文:

開催地

和文:	筑波大学
英文: