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論文・著書情報


タイトル
和文:Hf O2系 High-kゲートMOSFETの電気特性に対するLa2O3界面層挿入効果 
英文: 
著者
和文: 岡本晃一, 舘喜一, 足立学, 佐藤創志, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 杉井信之, 筒井一生, 服部健雄, 岩井洋.  
英文: Koichi Okamoto, Kiichi Tachi, Manabu Adachi, Soshi Sato, Kuniyuki KAKUSHIMA, パールハットアヘメト, Nobuyuki Sugii, KAZUO TSUTSUI, takeo hattori, HIROSHI IWAI.  
言語 Japanese 
掲載誌/書名
和文:春季第55回応用物理学会学術講演会 予稿集 
英文: 
巻, 号, ページ     No. 2    pp. 848
出版年月 2008年3月 
出版者
和文:応用物理学会 
英文: 
会議名称
和文:春季第55回応用物理学会学術講演会 
英文: 
開催地
和文:日本大学 
英文: 

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