Dry Etching of Si by XeF2 Plasma and Investigation of Emission Intensities from Xe and F in XeF2 Plasma

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Dry Etching of Si by XeF2 Plasma and Investigation of Emission Intensities from Xe and F in XeF2 Plasma

著者

和文:	松谷晃宏, Hideo Ohtsuki, 小山二三夫.
英文:	Akihiro Matsutani, Hideo Ohtsuki, Fumio Koyama.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

29D-9-58

出版年月

2008年10月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	21st International Microprocessees and Nanotechnology Conference

開催地

和文:
英文:	Fukuoka