Growth and Characterization of Highly Tensile-Strained Ge on InxGa1-xAs Virtual Substrate by Solid Source Molecular Beam Epitaxy

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Growth and Characterization of Highly Tensile-Strained Ge on InxGa1-xAs Virtual Substrate by Solid Source Molecular Beam Epitaxy

著者

和文:	小長井誠, 山田明, 星名豊.
英文:	MAKOTO KONAGAI, AKIRA YAMADA, Yutaka Hoshina.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Japanese Journal of Applied Physics

巻, 号, ページ

Vol. 48 pp. 111102(4 pages)

出版年月

2009年

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

和文:
英文: