強誘電体ゲート電界効果トランジスタ用新規材料・デバイス構造に関する研究 | T2R2 東京工業大学リサーチリポジトリ

論文・著書情報

タイトル

和文:	強誘電体ゲート電界効果トランジスタ用新規材料・デバイス構造に関する研究
英文:

著者

和文:	斎木博和.
英文:	Hirokazu Saiki.

種別

種別:	学位論文(博士)
国名:	日本

言語

Japanese

学位授与組織

東京工業大学

報告番号

甲第6922号

学位授与日

2007/03/26

審査員

©2007 Tokyo Institute of Technology All rights reserved.