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論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:Effects of La2O3 incorporation in HfO2 gated nMOSFETs on low-frequency noise 
著者
和文: ｻﾞﾃﾞﾊｻﾝ ﾀﾞﾘﾕｰｼﾕ, 佐藤創志, 角嶋邦之, A. Srivastava, パールハットアヘメト, 筒井一生, 西山彰, 杉井信之, 名取研二, 服部健雄, C.K. Sarkar, 岩井洋.  
英文: DARYOUSH ZADEH, Soshi Sato, Kuniyuki KAKUSHIMA, A. Srivastava, Ahmet Parhat, KAZUO TSUTSUI, 西山彰, Nobuyuki Sugii, KENJI NATORI, takeo hattori, C.K. Sarkar, HIROSHI IWAI.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文:Microelectronics Reliability 
巻, 号, ページ Vol. 51        pp. 746-750
出版年月 2011年4月 
出版者
和文: 
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会議名称
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開催地
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英文: 
DOI https://doi.org/10.1016/j.microrel.2010.11.004

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