Reduction of Base-Collector Capacitance in InP/InGaAs DHBT with Buried SiO2 Wires

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Reduction of Base-Collector Capacitance in InP/InGaAs DHBT with Buried SiO2 Wires

著者

和文:	武部直明, 宮本恭幸.
英文:	N. Takebe, Y. Miyamoto.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2011年9月14日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	2011 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices（AWAD)

開催地

和文:
英文:	Daejeon

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