Fabrication of few-electron silicon quantum dot devices based on an SOI substrate with a top gate cintact

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Fabrication of few-electron silicon quantum dot devices based on an SOI substrate with a top gate cintact

著者

和文:	堀部浩介, 小寺哲夫, 蒲原知宏, 内田建, 小田俊理.
英文:	K. Horibe, T. Kodera, T. Kambara, K. Uchida, S. Oda.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

P-11

出版年月

2011年10月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	G-COE PICE International Symposium and IEEE EDS Minicolloquium on Advanced Hybrid Nano Devices: Prospects by World’s Leading Scientists

開催地

和文:
英文:	Tokyo