SiC Growth and its Application  to High Speed Si-HBTs

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	SiC Growth and its Application to High Speed Si-HBTs

著者

和文:	杉井寿博, 山崎辰也, 有本由弘, 伊藤隆司, 古村雄二, 名村行夫, 後藤寛, 田原俊哉.
英文:	Toshihiro Sugii, Tatsuya Yamazaki, Yoshihiro Arimoto, Takashi Ito, Yuji Furumura, Ikuo.Namura, Hiroshi Goto, Toshiya Tahara.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Microelectronic Engineering

巻, 号, ページ

Vol. 19 pp. 335-342

出版年月

1992年

出版者

和文:
英文:	ELSEVIER

会議名称

和文:
英文:

開催地

和文:
英文: