ＳｉＣ上グラフェンチャネルトランジスタの単極性動作と高オン／オフ比実現に向けた試み

論文・著書情報

タイトル

和文:	ＳｉＣ上グラフェンチャネルトランジスタの単極性動作と高オン／オフ比実現に向けた試み
英文:	An attempt for realization of unipolar behavior in graphen channel transistors fabricated on SiC with high on/off ratio

著者

和文:	永久雄一, 徳光永輔.
英文:	Yuichi Nagahisa, EISUKE TOKUMITSU.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
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巻, 号, ページ

出版年月

2011年12月8日

出版者

和文:
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会議名称

和文:	SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第２０回講演会
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開催地

和文:	愛知県
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