InP系化合物半導体を用いたMOSFETの技術動向 | T2R2 東京工業大学リサーチリポジトリ

論文・著書情報

タイトル

和文:	InP系化合物半導体を用いたMOSFETの技術動向
英文:

著者

和文:	宮本恭幸, 金澤徹.
英文:	YASUYUKI MIYAMOTO, Toru Kanazawa.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2011年9月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:	電気学会電子・情報・システム部門大会
英文:

開催地

和文:	平成23年（2011年）
英文:

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