Cone structure formation by preferred growth of random nuclei in chemical vapor deposited epitaxial silicon films

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Cone structure formation by preferred growth of random nuclei in chemical vapor deposited epitaxial silicon films

著者

和文:	S. Noda, 梶川裕矢, H. Komiyama.
英文:	S. Noda, Y. Kajikawa, H. Komiyama.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Chemical Vapor Deposition

巻, 号, ページ

Vol. 8 Issue 3 pp. 87-89

出版年月

2002年5月6日

出版者

和文:
英文:

会議名称

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英文:

開催地

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英文: