Low threshold current density operation of 1.16 μm highly strained GaInAs/GaAs vertical cavity surface emitting lasers on (100) GaAs substrate

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Low threshold current density operation of 1.16 μm highly strained GaInAs/GaAs vertical cavity surface emitting lasers on (100) GaAs substrate

著者

和文:	近藤崇, Masakazu Arai, Munechika Azuchi, 内田武志, 松谷晃宏, 宮本智之, 小山二三夫.
英文:	Takashi Kondo, Masakazu Arai, Munechika Azuchi, Takeshi Uchida, Akihiro Matsutani, Tomoyuki Miyamoto, FUMIO KOYAMA.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Jpn. J. Appl. Phys.

巻, 号, ページ

vol. 41 no. 5B pp. L562-L564

出版年月

2002年5月

出版者

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会議名称

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開催地

和文:
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DOI