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論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:Compensation of oxygen defects in La-silicate gate dielectrics for improving effective mobility in high-k/metal gate MOSFET using oxygen annealing process 
著者
和文: 川那子高暢, 鈴木 拓也, 李映勲, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 筒井一生, 西山彰, 杉井信之, 名取研二, 服部健雄, 岩井洋.  
英文: Takamasa Kawanago, 鈴木 拓也, Yeonghun Lee, Kuniyuki KAKUSHIMA, Ahmet Parhat, KAZUO TSUTSUI, 西山彰, Nobuyuki Sugii, KENJI NATORI, takeo hattori, HIROSHI IWAI.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文:Solid-State Electronics 
巻, 号, ページ Vol. 68        pp. .68-72
出版年月 2012年2月 
出版者
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会議名称
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開催地
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DOI https://doi.org/10.1016/j.sse.2011.10.006

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