Resistive switching behavior of a CeO2 based ReRAM cell incorporated with Si buffer layer

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Resistive switching behavior of a CeO2 based ReRAM cell incorporated with Si buffer layer

著者

和文:	C. Dou, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 筒井一生, 西山彰, 杉井信之, 名取研二, 服部健雄, 岩井洋.
英文:	C. Dou, Kuniyuki KAKUSHIMA, Ahmet Parhat, KAZUO TSUTSUI, 西山彰, Nobuyuki Sugii, Kenji Natori, takeo hattori, HIROSHI IWAI.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Microelectronics Reliability

巻, 号, ページ

Vol. 32 No. 4 pp. 688-691

出版年月

2012年4月

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

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DOI