Fundamental origin of excellent low-noise property in 3D Si-MOSFETs ~Impact of charge-centroid in the channel due to quantum effect on 1/f noise ~

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Fundamental origin of excellent low-noise property in 3D Si-MOSFETs ~Impact of charge-centroid in the channel due to quantum effect on 1/f noise ~

著者

和文:	W. Feng, R. Hettiarachchi, 李映勲, 佐藤創志, 角嶋邦之, M. Sato, K. Fukuda, M. Niwa, K. Yamabe, 白石賢二, 岩井洋.
英文:	W. Feng, R. Hettiarachchi, Yeonghun Lee, Soshi Sato, Kuniyuki KAKUSHIMA, M. Sato, K. Fukuda, M. Niwa, K. Yamabe, Kenji Shiraishi, HIROSHI IWAI.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2013年

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	2011 IEDM

開催地

和文:	ワシントン
英文: