Bias-Dependent Radio Frequency Performance for 40 nm InAs High-Electron-Mobility Transistor with a Cutoff Frequency Higher than 600 GHz

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Bias-Dependent Radio Frequency Performance for 40 nm InAs High-Electron-Mobility Transistor with a Cutoff Frequency Higher than 600 GHz

著者

和文:	F. Fatah, C.-I Kuo, H.-T. Hsu, C.-Y. Chiang, C.-Y. Hsu, 宮本恭幸, E. Y. Chang.
英文:	F. Fatah, C.-I Kuo, H.-T. Hsu, C.-Y. Chiang, C.-Y. Hsu, Y. Miyamoto, E. Y. Chang.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	JPN. J. APPL. PHYS.

巻, 号, ページ

vol. 51 no. 11

出版年月

2012年

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

和文:
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DOI