ミストCVD法によるZnGa<sub>2</sub>O<sub>4</sub>薄膜のエピタキシャル成長 | T2R2 東京科学大学リサーチリポジトリ

論文・著書情報

タイトル

和文:	ミストCVD法によるZnGa₂O₄薄膜のエピタキシャル成長
英文:

著者

和文:	丹羽三冬, 向井章, 大島孝仁, 長見知史, 須山敏尚, 大友明.
英文:	M. Niwa, A. Mukai, T. Oshima, T. Nagami, T. Suyama, A. Ohtomo.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2013年9月16日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:	第74回応用物理学会秋季学術講演会
英文:

開催地

和文:	京都府京田辺市
英文:	Kyotanabe, Kyoto

公式リンク

http://www.jsap.or.jp/activities/annualmeetings/index.html

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