AlGaN/GaN HEMTへの凹凸AlGaN層導入による２次元電子ガス濃度分布評価および低抵抗コンタクト形成の可能性

論文・著書情報

タイトル

和文:	AlGaN/GaN HEMTへの凹凸AlGaN層導入による２次元電子ガス濃度分布評価および低抵抗コンタクト形成の可能性
英文:

著者

和文:	神谷真行, 寺山一真, 武井優典, 齋藤渉, 角嶋邦之, 若林整, 片岡好則, 筒井一生, 岩井洋.
英文:	Masayuki Kamiya, Kazuma Terayama, Yusuke Takei, 齋藤渉, Kuniyuki KAKUSHIMA, Hitoshi Wakabayashi, 片岡好則, KAZUO TSUTSUI, HIROSHI IWAI.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2013年

出版者

和文:
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会議名称

和文:	第74回応用物理学会秋季学術講演会
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開催地

和文:	京都市
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