ECRスパッタ法により形成した極薄HfNゲート絶縁膜に関する研究 | T2R2 東京科学大学リサーチリポジトリ

論文・著書情報

タイトル

和文:	ECRスパッタ法により形成した極薄HfNゲート絶縁膜に関する研究
英文:	A study on ultrathin hafnium nitride gate insulator formed by ECR plasma sputtering

著者

和文:	韓熙成.
英文:	Hui-seong Han.

種別

種別:	学位論文(博士)
国名:	Japan

言語

English

学位授与組織

Tokyo Institute of Technology

報告番号

甲第9247号

学位授与日

2013/06/30

審査員

ファイル

©2007 Institute of Science Tokyo All rights reserved.