Body width dependence of subthreshold slope and on-current in GaAsSb/InGaAs Double Gate Vertical Tunnel FETs

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Body width dependence of subthreshold slope and on-current in GaAsSb/InGaAs Double Gate Vertical Tunnel FETs

著者

和文:	大橋一水, 藤松基彦, 宮本恭幸.
英文:	K. Ohashi, M. Fujimatsu, Y. Miyamoto.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2014年9月11日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	2014 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)

開催地

和文:
英文:	Tsukuba