歪バッファ層を用いた高歪GaInAs/GaAs量子井戸層の成長と熱アニールによる評価

論文・著書情報

タイトル

和文:	歪バッファ層を用いた高歪GaInAs/GaAs量子井戸層の成長と熱アニールによる評価
英文:	Growth of highly strained GaInAs/GaAs quantum wells with strained buffer layer and thermal annealing effect on their optical properties

著者

和文:	近藤崇, 荒井昌和, 安土宗近, 内田武志, 宮本智之, 小山二三夫.
英文:	Takashi Kondo, 荒井昌和, 安土宗近, Takeshi Uchida, Tomoyuki Miyamoto, FUMIO KOYAMA.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
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巻, 号, ページ

出版年月

2002年3月

出版者

和文:
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会議名称

和文:	第49回応用物理学関連連合講演会
英文:	The 49th Spring Meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies

開催地

和文:	神奈川
英文:	Kanagawa