Home >

news ヘルプ

論文・著書情報


タイトル
和文:多層Al ゲート構造を用いたSi-MOS 量子ドットデバイス作製プロセスの検討 
英文: 
著者
和文: 本田 拓夢, 米田 淳, 武田 健太, 川那子 高暢, 小寺 哲夫, 樽茶 清悟, 小田 俊理.  
英文: Takumu Honda, 米田 淳, Kenta Takeda, Takamasa Kawanago, Tetsuo Kodera, Seigo Tarucha, SHUNRI ODA.  
言語 Japanese 
掲載誌/書名
和文: 
英文: 
巻, 号, ページ        
出版年月 2016年3月 
出版者
和文: 
英文: 
会議名称
和文:第63回応用物理学会春季学術講演会 
英文: 
開催地
和文:東京都 
英文: 

©2007 Institute of Science Tokyo All rights reserved.