抵抗変化型メモリ用Ta2O5薄膜の微構造が量子化伝導の発現に及ぼす影響

論文・著書情報

タイトル

和文:	抵抗変化型メモリ用Ta2O5薄膜の微構造が量子化伝導の発現に及ぼす影響
英文:	Effect of microstructure on Conductance Quantization in Ta2O5 thin films for RRAM

著者

和文:	久保朋也, 白田稜, 南宏明, 塩田忠, 西山昭雄, 櫻井修, 篠崎和夫.
英文:	Tomoya Kubo, Ryo Shirata, Hiroaki Minami, Tadashi SHIOTA, Akio Nishiyama, osamu sakurai, KAZUO SHINOZAKI.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:	日本セラミックス協会2016年年会講演予稿集
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2016年3月14日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:	日本セラミックス協会2016年年会
英文:

開催地

和文:	東京
英文: